什么是场效应_什么是场效应管工作原理

苏州坤力美海申请基于碳纳米管场效应晶体管生物传感器专利,该种...金融界2024年10月17日消息,国家知识产权局信息显示,苏州坤力美海科技有限公司申请一项名为“基于碳纳米管场效应晶体管生物传感器”的专利,公开号CN 118777401 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明提出了一种基于碳纳米管场效应晶体管生物传感器,该种传感器的灵是什么。

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晶丰明源取得结型场效应晶体管及半导体器件专利金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,上海晶丰明源半导体股份有限公司取得一项名为“结型场效应晶体管及半导体器件”的专利,授权公告号CN 113097309 B,申请日期为2021年3月。

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上海维安取得一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法专利金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,上海维安半导体有限公司取得一项名为“一种耗尽型场效应晶体管器件及其制备方法”的专利,授权公告号CN 113140463 B,申请日期为2021年4月。

上海陆芯取得一种应变碳化硅场效应晶体管专利金融界2024年9月30日消息,国家知识产权局信息显示,上海陆芯电子科技有限公司取得一项名为“一种应变碳化硅场效应晶体管”的专利,授权公告号CN 117766586 B,申请日期为2023年12月。

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上海邦芯半导体取得鳍式场效应晶体管的鳍片表面处理方法专利金融界2024年9月26日消息,国家知识产权局信息显示,上海邦芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种鳍式场效应晶体管的鳍片表面处理方法”的专利,授权公告号CN 118380325 B,申请日期为2024年6月。

台积电申请场效应晶体管和形成半导体结构的方法专利,使场效应晶体...金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,台湾积体电路制造股份有限公司申请一项名为“场效应晶体管和形成半导体结构的方法“公开号CN202410175854.7,申请日期为2024年2月。专利摘要显示,场效应晶体管包括:源极侧掺杂阱、漂移区域阱、源极区域、漏极区域;浅沟槽小发猫。

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三星取得场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统专利,该...金融界2024年4月8日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社取得一项名为“场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统“授权公告号CN111081549B,申请日期为2019年10月。专利摘要显示,本发明涉及场效应晶体管和制造其的方法以及包括其的片上系统。该制造场等我继续说。

三星申请场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法专利,提供了一种...金融界2024年3月29日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法“公开号CN117790504A,申请日期为2023年9月。专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构和制造半导体器件的方法。该场效应晶体管结构包括:沟道结好了吧!

三星申请场效应晶体管结构专利,实现顺序连接的无源器件金融界2024年3月2日消息,据国家知识产权局公告,三星电子株式会社申请一项名为“包括无源器件或双极结型晶体管的场效应晶体管结构“公开号CN117637742A,申请日期为2023年8月。专利摘要显示,提供了一种场效应晶体管结构,包括:衬底,其中包括至少一个第一掺杂区、在第一掺是什么。

华为公司申请场效应晶体管专利,降低集成电路的工作电压,使集成电路...金融界2023年12月8日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司申请一项名为“一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路“公开号CN117203742A,申请日期为2021年7月。专利摘要显示,本申请提供一种场效应晶体管、其制作方法及集成电路,该场效应晶体管可以包括:第一冷源是什么。

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